SI8819EDB-T2-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8819EDB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

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VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
Paquete / Cubierta

4-XFBGA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 3.7V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta)

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