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SIRA52DP-T1-RE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIRA52DP-T1-RE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    48W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SO-8
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7150pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

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