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SIZ200DT-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIZ200DT-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH DUAL 30V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIZ200DT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-PowerPair® (3.3x3.3)
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Max
    4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    SIZ200DT-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    28nC @ 10V, 30nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

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