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422590Imagen SIZ322DT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIZ322DT-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIZ322DT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-Power33 (3x3)
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.35 mOhm @ 15A, 10V
  • Potencia - Max
    16.7W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    SIZ322DT-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 12.5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

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Descripción: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

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Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

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Descripción: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

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