SQ2362ES-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ2362ES-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQ2362ES-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

95 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SQ2362ES-T1-GE3
SQ2362ES-T1_GE3-ND
SQ2362ES-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Tc)

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