SQ2398ES-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ2398ES-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SQ2398ES-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SQ2398ES-T1_GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

152pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

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