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6672780Imagen SQD50P08-28_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P08-28_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQD50P08-28_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SQD50P08-28_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252AA
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    28 mOhm @ 12.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    136W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6035pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

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