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6099089Imagen SQM10250E_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM10250E_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQM10250E_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHAN 250V TO-263
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SQM10250E_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-263 (D²Pak)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    30 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    375W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    SQM10250E_GE3CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    47 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4050pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    250V
  • Descripción detallada
    N-Channel 250V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: RES WW 10W 5% TH

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Descripción: RES WW 10W 5% TH

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 100A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: 1.25IN 10-11 GAUGE 5/16-18 THREA

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