SQV120N06-4M7L_GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

500+

$1.947

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SQV120N06-4M7L_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SQV120N06-4M7L_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

230nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Los siguientes son productos relacionados con "SQV120N06-4M7L_GE3".

BFL4001-1E

Descripción: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

IRLR7821PBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

APT7F100B

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

RFQ

FDB2614

Descripción: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

IRFS4115-7PPBF

Descripción: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

R5016ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

SUP85N02-03-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

IRF8736TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

IRFB7446GPBF

Descripción: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

IPB70N10SL16ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

TSM80N950CI C0G

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

STP100NF04

Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

Existencias disponibles

RFQ

RQ3E160ADTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

FCMT199N60

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

SPP18P06PHKSA1

Descripción: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

IRF7457TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

SQP90142E_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

SI2307-TP

Descripción: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

Existencias disponibles

RFQ

NVD6495NLT4G-VF01

Descripción: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

SQV120N10-3M8_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

SQV120N06-4M7L_GE3

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

BFL4001-1E

IRLR7821PBF

APT7F100B

FDB2614

IRFS4115-7PPBF

R5016ANJTL

SUP85N02-03-E3

IRF8736TRPBF

IRFB7446GPBF

IPB70N10SL16ATMA1

TSM80N950CI C0G

STP100NF04

RQ3E160ADTB

FCMT199N60

SPP18P06PHKSA1

IRF7457TRPBF

SQP90142E_GE3

SI2307-TP

NVD6495NLT4G-VF01

SQV120N10-3M8_GE3

Seleccione el idioma

Idioma actual