UH3BHE3_A/I

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3500+

$0.244

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

UH3BHE3_A/I
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UH3BHE3_A/I.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.05V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

DO-214AB (SMC)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

40ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AB, SMC
Otros nombres

UH3BHE3/9AT
UH3BHE3/9AT-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

UH3B

Los siguientes son productos relacionados con "UH3BHE3_A/I".

UH3DHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

SIDC01D60C6

Descripción: DIODE GEN PURP WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

TS4148C RCG

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

UH3D-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3C-M3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

UH3D-M3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

S1BL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

UH3B-M3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

UH3B-E3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3B-M3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

UH3BHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3C-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3B-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3CHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3D-M3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

UH3DHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3CHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3D-E3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UH3C-M3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

UH3C-E3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

UH3BHE3_A/I

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

AMD lanza la construcción de la segunda fase del Bangalore...

La tarjeta gráfica NVIDIA RTX 5090 tiene un área de GPU d...

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

UH3DHE3_A/I

SIDC01D60C6

TS4148C RCG

UH3D-E3/57T

UH3C-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

S1BL MTG

UH3B-M3/57T

UH3B-E3/9AT

UH3B-M3/9AT

UH3BHE3_A/H

UH3C-E3/57T

UH3B-E3/57T

UH3CHE3_A/I

UH3D-M3/57T

UH3DHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

UH3D-E3/9AT

UH3C-M3/57T

UH3C-E3/9AT

Seleccione el idioma

Idioma actual