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3456908Imagen UH3B-M3/9ATVishay Semiconductor Diodes Division

UH3B-M3/9AT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UH3B-M3/9AT
  • Fabricante / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UH3B-M3/9AT.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.5A
  • Tensión - Desglose
    DO-214AB, (SMC)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    40ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    UH3B-M3/9AT
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • configuración de diodo
    5µA @ 100V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.05V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 175°C

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