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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N5407
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3948740Imagen 1N5407Fairchild/ON Semiconductor

1N5407

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5407
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3A
  • Tensión - Desglose
    DO-201AD
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-201AD, Axial
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    1N5407
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • configuración de diodo
    5µA @ 800V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.2V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    800V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 150°C
1N5406RL

1N5406RL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N5407-T

1N5407-T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N5406RLG

1N5406RLG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N5406TA

1N5406TA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Existencias disponibles
1N5407G

1N5407G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1N5407-B

1N5407-B

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1N5407G-T

1N5407G-T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
1N5407

1N5407

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
1N5407-G

1N5407-G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
1N5407-TP

1N5407-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
1N5406T-G

1N5406T-G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles

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