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2546726Imagen 1N5406RLGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5406RLG

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60000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5406RLG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N5406RLG.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-201AD
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Otros nombres
    1N5406RLGOSTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    9 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor
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