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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MB85R256FPF-G-BND-ERE1
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4291739Imagen MB85R256FPF-G-BND-ERE1Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MB85R256FPF-G-BND-ERE1
  • Fabricante / Marca
    Fujitsu Electronics America, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MB85R256FPF-G-BND-ERE1.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    150ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Paquete del dispositivo
    28-SOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-SOP
  • Tiempo de acceso
    150ns

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