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1N3890

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N3890
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.1N3890.pdf
    2.1N3890.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    12A
  • Tensión - Desglose
    DO-4
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Otros nombres
    1N3890GN
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    200ns
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    1N3890
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • configuración de diodo
    25µA @ 50V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.4V @ 12A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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