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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N3891
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5443853Imagen 1N3891GeneSiC Semiconductor

1N3891

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N3891
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.1N3891.pdf
    2.1N3891.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.4V @ 12A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-4
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    200ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Otros nombres
    1242-1204
    1N3891GN
    1N3891GN-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    12A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N3891

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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
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RFQ
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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
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RFQ
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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
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RFQ
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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

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Descripción: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
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RFQ
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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

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Descripción: FAST RECOVERY RECTIFIER

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