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4238118Imagen 1N8031-GAGeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

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10+
$172.134
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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N8031-GA
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    TO-276
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tube
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    76pF @ 1V, 1MHz
  • Polarización
    TO-276AA
  • Otros nombres
    1242-1118
    1N8031GA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    0ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    1N8031-GA
  • Descripción ampliada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • configuración de diodo
    5µA @ 650V
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.5V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    650V
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 250°C
1N8033-GA

1N8033-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N8034-GA

1N8034-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N8035-GA

1N8035-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N8032-GA

1N8032-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N821UR-1

1N821UR-1

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8024-GA

1N8024-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8028-GA

1N8028-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8182

1N8182

Descripción: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N821AUR

1N821AUR

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8149

1N8149

Descripción: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8030-GA

1N8030-GA

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N821

1N821

Descripción: DIODE ZENER DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8165US

1N8165US

Descripción: TVS DIODE 33V 53.6V

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N822

1N822

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N821-1

1N821-1

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N821A

1N821A

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N8026-GA

1N8026-GA

Descripción: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Descripción: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
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