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6439857Imagen 2N7638-GAGeneSiC Semiconductor

2N7638-GA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N7638-GA
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS SJT 650V 8A TO276
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N7638-GA.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Paquete del dispositivo
    TO-276
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    170 mOhm @ 8A
  • La disipación de energía (máximo)
    200W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-276AA
  • Otros nombres
    1242-1149
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    720pF @ 35V
  • Tipo FET
    -
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    650V 8A (Tc) (158°C) 200W (Tc) Surface Mount TO-276
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc) (158°C)

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