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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > 2N7335
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2N7335

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N7335
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N7335.pdf
  • Modelo ECAD
  • Voltaje - Prueba
    -
  • Tensión - Desglose
    MO-036AB
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    750mA
  • Potencia - Max
    1.4W
  • Polarización
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    2N7335
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Característica de FET
    4 P-Channel
  • Descripción ampliada
    Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    Standard
  • Descripción
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100V

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