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DB107G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DB107G
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.DB107G.pdf
    2.DB107G.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    1kV
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    DB
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    4-EDIP (0.321", 8.15mm)
  • Otros nombres
    DB107GGN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A

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