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3220615Imagen GB01SLT12-252GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-252

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GB01SLT12-252
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GB01SLT12-252.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    TO-252
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    1242-1126-6
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    19 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    2µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    69pF @ 1V, 1MHz

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