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786315Imagen GB02SHT06-46GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GB02SHT06-46
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 600V 4A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GB02SHT06-46.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.6V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-46
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Otros nombres
    1242-1256
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 225°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    4A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    76pF @ 1V, 1MHz

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