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GBPC3508T

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1000+
$1.956
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Especificaciones
  • Número de pieza
    GBPC3508T
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.GBPC3508T.pdf
    2.GBPC3508T.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    800V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 17.5A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    GBPC
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    4-Square, GBPC
  • Otros nombres
    GBPC3508T/WGN
    GBPC3508T/WGN-ND
    GBPC3508TGN
    GBPC3508TW
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    QC Terminal
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V QC Terminal GBPC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    35A

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Descripción: DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC-

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Descripción: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPC

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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Descripción: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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