GBPC3508W

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Especificaciones

Número de pieza

GBPC3508W
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GBPC3508W.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

800V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 17.5A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

GBPC-W
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

4-Square, GBPC-W
Otros nombres

1242-1295
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBPC-W
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

35A

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Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPC

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Descripción: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC-

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC-W

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GBPC3510

Descripción: BRIDGE RECTIFIER GPP 35A GBPC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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GBPC3508 T0G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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GBPC3508-G

Descripción: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPC

Fabricantes: Comchip Technology

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GBPC3508TA

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

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