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Imagen MBRT200100R

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT200100R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBRT200100R.pdf
2.MBRT200100R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

880mV @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MBRT200100RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky, Reverse Polarity
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 100V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

1mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

200A (DC)

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