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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-matrices > MBRT20030

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Imagen MBRT20030

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

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25+

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT20030
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBRT20030.pdf
2.MBRT20030.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Schottky
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1 Pair Common Cathode
Tensión - Desglose

Three Tower
Velocidad

200A (DC)
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Polarización

Three Tower
Otros nombres

MBRT20030GN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Número de pieza del fabricante

MBRT20030
Descripción ampliada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
configuración de diodo

1mA @ 20V
Descripción

DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr

750mV @ 100A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

30V

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