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2960596Imagen MURT10060RGeneSiC Semiconductor

MURT10060R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MURT10060R
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.MURT10060R.pdf
    2.MURT10060R.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 100A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    Three Tower
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    75ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Three Tower
  • Otros nombres
    MURT10060RGN
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard, Reverse Polarity
  • configuración de diodo
    -
  • Descripción detallada
    Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100A (DC)

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