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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-matrices > MURT20060R

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Imagen MURT20060R

GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

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Especificaciones

Número de pieza

MURT20060R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MURT20060R.pdf
2.MURT20060R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

160ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MURT20060RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

200A (DC)

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