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GP2D010A065C

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GP2D010A065C
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GP2D010A065C.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.65V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-252, (D-Pak)
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    Amp+™
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 30A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    30A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    527pF @ 1V, 1MHz

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Descripción: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2

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