GP2D010A065C

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Especificaciones

Número de pieza

GP2D010A065C
Fabricante / Marca

SemiQ
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GP2D010A065C.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.65V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

650V
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

Amp+™
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 30A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io)

30A (DC)
Capacitancia Vr, F

527pF @ 1V, 1MHz

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GP2D006A065A

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group

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