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GSID200A120S3B1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GSID200A120S3B1
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    SILICON IGBT MODULES
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GSID200A120S3B1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 200A
  • Paquete del dispositivo
    D3
  • Serie
    Amp+™
  • Potencia - Max
    1595W
  • Paquete / Cubierta
    D-3 Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    20nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1595W Chassis Mount D3
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    400A
  • Configuración
    2 Independent

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