GSID150A120S6A4

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Especificaciones

Número de pieza

GSID150A120S6A4
Fabricante / Marca

SemiQ
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SILICON IGBT MODULES
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GSID150A120S6A4.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

Amp+™
Potencia - Max

1035W
Paquete / Cubierta

Module
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

20.2nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
Descripción detallada

IGBT Module Single 1200V 275A 1035W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

275A
Configuración

Single

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GSIB6A60N-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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