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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70T633S10BCGI

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70T633S10BCGI

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Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

12+

$176.106

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70T633S10BCGI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

70T633S10BCGI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

256-CABGA (17x17)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

256-LBGA
Otros nombres

IDT70T633S10BCGI
IDT70T633S10BCGI-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (512K x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Número de pieza base

IDT70T633
Tiempo de acceso

10ns

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