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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70T633S12BC
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6080342Imagen 70T633S12BCIDT (Integrated Device Technology)

70T633S12BC

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12+
$152.458
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Especificaciones
  • Número de pieza
    70T633S12BC
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    12ns
  • Suministro de voltaje
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    256-LBGA
  • Otros nombres
    IDT70T633S12BC
    IDT70T633S12BC-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    9Mb (512K x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
  • Número de pieza base
    IDT70T633
  • Tiempo de acceso
    12ns
70T633S10BC8

70T633S10BC8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BCI

70T633S10BCI

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S12BCI

70T633S12BCI

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T651S10BC

70T651S10BC

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BCI8

70T633S10BCI8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S12BFGI8

70T633S12BFGI8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BF

70T633S10BF

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S12BC8

70T633S12BC8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S15BC8

70T633S15BC8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BF8

70T633S10BF8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S12BFGI

70T633S12BFGI

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BFI8

70T633S10BFI8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70T633S10BCGI

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S12BFI8

70T633S12BFI8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S10BFG8

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S12BFI

70T633S12BFI

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S12BCI8

70T633S12BCI8

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S10BFI

70T633S10BFI

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S15BC

70T633S15BC

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70T633S10BFG

70T633S10BFG

Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

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