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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70T633S12BCI8

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Imagen 70T633S12BCI8

IDT (Integrated Device Technology)

70T633S12BCI8

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Existencias disponibles

1000+

$138.499

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70T633S12BCI8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70T633S12BCI8.pdf
2.70T633S12BCI8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

256-CABGA (17x17)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

256-LBGA
Otros nombres

IDT70T633S12BCI8
IDT70T633S12BCI8-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (512K x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
Número de pieza base

IDT70T633
Tiempo de acceso

12ns

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