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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V3589S133BCI8
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1389127Imagen 70V3589S133BCI8IDT (Integrated Device Technology)

70V3589S133BCI8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    70V3589S133BCI8
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    256-LBGA
  • Otros nombres
    IDT70V3589S133BCI8
    IDT70V3589S133BCI8-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Mb (64K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Número de pieza base
    IDT70V3589
  • Tiempo de acceso
    4.2ns
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133DRGI8

70V3589S133DRGI8

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133DRI

70V3589S133DRI

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133DRG8

70V3589S133DRG8

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133BCI

70V3589S133BCI

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S6BC8

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Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133BF

70V3589S133BF

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3589S133DR

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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
Existencias disponibles
70V3589S133DRG

70V3589S133DRG

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3589S133BC8

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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S6BC

70V3579S6BC

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3589S133BF8

70V3589S133BF8

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3589S133DRGI

70V3589S133DRGI

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

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70V3589S133BFI8

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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

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