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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V3589S133DRG

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Imagen 70V3589S133DRG

IDT (Integrated Device Technology)

70V3589S133DRG

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Existencias disponibles

12+

$103.426

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70V3589S133DRG
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

70V3589S133DRG.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

208-PQFP (28x28)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-BFQFP
Otros nombres

IDT70V3589S133DRG
IDT70V3589S133DRG-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Mb (64K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
Frecuencia de reloj

133MHz
Número de pieza base

IDT70V3589
Tiempo de acceso

4.2ns

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