70V639S10PRF8

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Especificaciones

Número de pieza

70V639S10PRF8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

70V639S10PRF8.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

128-TQFP (14x20)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

128-LQFP
Otros nombres

IDT70V639S10PRF8
IDT70V639S10PRF8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2.25Mb (128K x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 10ns 128-TQFP (14x20)
Número de pieza base

IDT70V639
Tiempo de acceso

10ns

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70V639S10BF8

Descripción: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

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