70V657S12BFI

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14+

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Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70V657S12BFI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70V657S12BFI.pdf
2.70V657S12BFI.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

208-CABGA (15x15)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-LFBGA
Otros nombres

IDT70V657S12BFI
IDT70V657S12BFI-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1.125Mb (32K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
Número de pieza base

IDT70V657
Tiempo de acceso

12ns

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70V657S15BC

Descripción: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

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