70V657S12DRI

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Especificaciones

Número de pieza

70V657S12DRI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70V657S12DRI.pdf
2.70V657S12DRI.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

208-PQFP (28x28)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-BFQFP
Otros nombres

800-2318
IDT70V657S12DRI
IDT70V657S12DRI-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1.125Mb (32K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Número de pieza base

IDT70V657
Tiempo de acceso

12ns

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Los siguientes son productos relacionados con "70V657S12DRI".

70V658S10BC8

Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

Existencias disponibles

70V657S12DRI

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