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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS41LV16100B-50TL

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Imagen IS41LV16100B-50TL

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS41LV16100B-50TL

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Especificaciones

Número de pieza

IS41LV16100B-50TL
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IS41LV16100B-50TL.pdf
2.IS41LV16100B-50TL.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

DRAM - EDO
Paquete del dispositivo

44-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

16Mb (1M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

DRAM - EDO Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II
Tiempo de acceso

25ns

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