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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS41LV16100B-60TLI
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2869766Imagen IS41LV16100B-60TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS41LV16100B-60TLI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS41LV16100B-60TLI
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IS41LV16100B-60TLI.pdf
    2.IS41LV16100B-60TLI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    DRAM - EDO
  • Paquete del dispositivo
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    DRAM - EDO Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 44-TSOP II
  • Tiempo de acceso
    30ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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