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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S16160G-5BL-TR
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2403538Imagen IS42S16160G-5BL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16160G-5BL-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S16160G-5BL-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IS42S16160G-5BL-TR.pdf
    2.IS42S16160G-5BL-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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