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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S16160G-6BI

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IS42S16160G-6BI

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Especificaciones

Número de pieza

IS42S16160G-6BI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
Paquete / Cubierta

54-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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