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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43DR86400E-3DBLI-TR
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IS43DR86400E-3DBLI-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS43DR86400E-3DBLI-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS43DR86400E-3DBLI-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5)
  • Frecuencia de reloj
    333MHz
  • Tiempo de acceso
    450ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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