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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43LD16128B-25BL
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5904505Imagen IS43LD16128B-25BLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LD16128B-25BL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS43LD16128B-25BL
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS43LD16128B-25BL.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • Paquete del dispositivo
    134-TFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    134-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 134-TFBGA (10x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

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