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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61DDB21M18A-300M3L

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Imagen IS61DDB21M18A-300M3L

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61DDB21M18A-300M3L

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Especificaciones

Número de pieza

IS61DDB21M18A-300M3L
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS61DDB21M18A-300M3L.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.71 V ~ 1.89 V
Tecnología

SRAM - Synchronous, DDR II
Paquete del dispositivo

165-LFBGA (13x15)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

165-LBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

18Mb (1M x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 300MHz 165-LFBGA (13x15)
Frecuencia de reloj

300MHz

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