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6740587Imagen IS61DDB22M18-250M3LISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61DDB22M18-250M3L

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS61DDB22M18-250M3L
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS61DDB22M18-250M3L.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.71 V ~ 1.89 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • Paquete del dispositivo
    165-LFBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    165-LBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    36Mb (2M x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 165-LFBGA (13x15)
  • Frecuencia de reloj
    250MHz

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Descripción: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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