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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFA130N15X3

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Imagen IXFA130N15X3

IXYS Corporation

IXFA130N15X3

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Especificaciones

Número de pieza

IXFA130N15X3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFA130N15X3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263AA
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 65A, 10V
La disipación de energía (máximo)

390W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5230pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 130A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

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