IXFA10N60P

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Especificaciones

Número de pieza

IXFA10N60P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFA10N60P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (IXFA)
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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IXFA180N10T2

Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Fabricantes: IXYS Corporation

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