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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH76N15T2

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IXFH76N15T2

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30+

$4.916

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Especificaciones

Número de pieza

IXFH76N15T2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFH76N15T2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

HiPerFET™, TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 38A, 10V
La disipación de energía (máximo)

350W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

97nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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